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半導體晶體生長系列
· 氮化鎵晶體生長室（高溫高壓鈉流法）
用途：
在高溫并在真空狀態(tài)下，通入碳源氣體，在高溫下產生裂解，沉積到工件上，主要用于C/C的化學氣相沉積，使復合材料得到致密化處理。
可選項：
1、底裝料式
2、上裝料式
設備溫區(qū)大小可根據(jù)客戶實際需求定制。
地址：沈陽市大東區(qū)萬柳塘路2號
傳真：024-24809927
Email：yb@sy-vac.com
網(wǎng)址：www.wdlscrm.cn
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